Transistor IRF1404PBF TO220AB Fabricante INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transistor N-MOSFET
Tecnología HEXFET®
Tensión drenaje-fuente 40V
Corriente del drenaje 162A
Poder disipado 200W
Carcasa TO220AB
Tensión puerta-fuente ±20V
Resistencia en estado de transferencia 4mΩ
Carga de puerta 160nC
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