ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Transistor FQT4N20LTF
Fabricante ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Tipo de transistor N-MOSFET
Tecnología QFET®
Tensión drenaje-fuente 200V
Corriente del drenaje 0.68A
Poder disipado 2.2W
Carcasa SOT223
Tensión puerta-fuente ±20V
Resistencia en estado de transferencia 1.4Ω
Montaje SMD
Carga de puerta 5.2nC
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