Transistor MosFet 100V 360A 830W SOT227B Atornillado IXFN360N10T

Transistor IXFN360N10T SOT227BFabricante
IXYS

Tipo de módulo
transistor MOSFET Tensión drenaje-fuente
100V

Corriente del drenaje
360A

Carcasa
SOT227B

Montaje eléctrico
atornillado

Resistencia en estado de transferencia
2,6mΩ
Corriente del drenaje en impulso
900A

Poder disipado
830W

Tecnología
GigaMOS™, HiPerFET™Montaje mecánico Atornillado