Transistor N-Mosfet 200V, 65A, 190W TO220AB IRFB4227PBF

Transistor IRFB4227PBF TO220AB
Fabricante Infineon (IRF)
Tipo de transistor N-MOSFET
Tecnología HEXFET®
Polarización unipolar
Tensión drenaje-fuente 200V
Corriente del drenaje 65A
Poder disipado 190W
Carcasa TO220AB
Tensión puerta-fuente ±30V
Resistencia en estado de transferencia 26mΩ
Montaje THT
Carga de puerta 70nC