Transistor STP100N10F7 TO220-3
Fabricante STMicroelectronics
Tipo de transistor N-MOSFET
Tecnología STripFET™ F7
Tensión drenaje-fuente 100V
Corriente del drenaje 70A
Corriente del drenaje en impulso 320A
Poder disipado 150W
Carcasa TO220-3
Tensión puerta-fuente ±20V
Resistencia en estado de transferencia 8mΩ
Carga de puerta 61nC
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