ESPECIFICACIONES:
Transistor IXTP60N10T
Fabricante IXYS
Tipo de transistor N-MOSFET
Tensión drenaje-fuente 100V
Corriente del drenaje 60A
Poder disipado 176W
Carcasa TO220AB
Resistencia en estado de transferencia 18mΩ
Carga de puerta 49nC
Tiempo de disponibilidad 59ns
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